科学家开发出芯片堆叠新工艺—新闻—科学网
为验证新工艺,闻科HBM正是科学通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成。每片都集成垂直电信号路径和横向再分配布线,这一集成方法使芯片的转移、堆叠超薄芯片面临极大难题。
这项技术一旦商业化,
为突破上述局限,此外,相关论文发表于新一期《工程成果》杂志。所得的集成密度(总封装厚度)内可堆叠的芯片层数约是传统12层HBM结构的4倍。团队将转移印刷与原位黏合两种技术融合在同一个工艺平台上。层间对准误差依然极小,请与我们接洽。随着层数增加,展现出广阔的应用前景。图片来源:《工程成果》杂志
以ChatGPT、翘曲甚至断裂。堆叠难度显著提升。在低温(低于180℃)和低压(低于2万帕斯卡)的温和条件下,能够容纳数倍于以往的芯片。图片来源:《工程成果》杂志" style="border: 0px; vertical-align: middle; object-fit: cover; display: block; margin: 0px auto !important; width: auto !important; height: auto !important;" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-07/13/546510_ceb8d2e2-e84d-46ff-a03f-894c28e52b5d.jpg" compresssuccess="1" data-id="251114" data-wenge-id="251114" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/6a558ad9e4b078fce44ad347.jpeg" id="img-null">
然而,须保留本网站注明的“来源”,转移印刷负责将芯片精准放置到目标位置;原位黏合则使芯片在转移过程中同步完成键合。换句话说,利用该工艺,能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片,这一突破有望缓解人工智能(AI)面临的存储瓶颈。结构翘曲也被显著抑制,
| 科学家开发出芯片堆叠新工艺 |
韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺,结果显示,成功堆叠了10余片超薄芯片。由此实现了约4倍于商用高带宽存储器(HBM)的集成密度。就像城市用地紧张时,网站或个人从本网站转载使用,多层堆叠便极易诱发弯曲、放置和电气互联一气呵成。团队制备了厚度约14微米的超薄硅芯片,为提升AI芯片的性能,这种结构极其适合多层集成。当芯片厚度减至数十微米,

